直流（liú）磁控濺射： 直流磁控濺射是在直流二級濺（jiàn）射的基礎上，在靶材後麵安防磁鋼。可以用來濺射沉積導電膜，而且沉（chén）積（jī）速度快（kuài）；

但靶材若為絕緣（yuán）體的話，將會迅速造成靶材表麵電（diàn）荷（hé）積累，從而導（dǎo）致濺射無法進（jìn）行（háng）。所以對於純金屬靶材的濺射，均采用直流磁控（kòng）濺射，如濺射SUS,Ag,Cr,Cu等。 

中頻磁控（kòng）濺射， 常用來進行反應濺射，如金屬氧化物、碳化物等，將少許反應性氣體N2,O2,C2H2等同惰性氣體Ar2一起輸入到真空（kōng）腔中，使反應氣體與靶材原子一起於（yú）基材上沉積（jī）。

對於一些不易找到的塊材料製成靶（bǎ）材的鍍膜或陶瓷靶材在濺鍍後，薄膜成分易偏離（lí）原靶材成分，也可通過（guò）反應沉積來獲得改（gǎi）善。