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磁控濺射技術的優缺點分析(xī)介紹

作者: 來源: 日期:2019-04-17 23:44:10 人氣:1399
        磁控濺射技術自誕生以來,得到了較快的發展和較廣的應用,對其他鍍膜方(fāng)法的發展產生了很大的影響。通過大量的實踐(jiàn),国产精品无码av片在线观看播真空總結出這種技術的優缺點,如(rú)下文所示。

  優點:
  1.沉(chén)積(jī)速率高,襯底(dǐ)溫升低,對薄膜損(sǔn)傷小(xiǎo);
  2.對於大多數材料,隻要能製造出靶材,就可以實現(xiàn)濺射;
  3.濺(jiàn)射得到的薄膜與(yǔ)基底結合良好;
  4.濺(jiàn)射得到的薄膜純(chún)度較高,密度好,均勻(yún)性好;
  5.結果表明,濺射工藝具有良好的重複性,在大麵積(jī)襯底上(shàng)可獲得厚度均勻(yún)的(de)薄膜;
  6.可以準(zhǔn)確控製塗層厚度,通過改變參數來控製薄膜的粒徑;
  7.不同的金屬、合金和氧化物可以混合,同時濺射在基體上;
  8.易於工業化。


  但是磁(cí)控濺射也存在一些問題
  1.該技術所(suǒ)使用的環形磁場迫使次級電子圍繞環(huán)形磁場跳(tiào)躍。因此,由環形磁場控製的(de)區域是等離子體密度較高的區(qū)域。在該技術(shù)中,我們可以看到濺射氣(qì)體氬在(zài)這一區域發出強烈的淡藍色光芒(máng),形成光暈。光暈下的靶是離子轟擊比較嚴重的部分,它會濺出一個圓形的溝槽。環形磁場是電子運(yùn)動的軌道,環形輝光和溝槽生動地表現了(le)這一點。靶材的濺射槽一旦穿透(tòu)靶材,整個靶材就會報廢,靶材利用率不(bú)高,一般低於(yú)40%;
  2.等離子體不穩定;
  3.由於基(jī)本的磁通量(liàng)均不能通過磁性靶,所以在靶麵附近不可能產(chǎn)生外加磁場。
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